25 Jun Ab sofort GaN-Leistungshalbleiter bei Renesas
Renesas Electronics hat die Übernahme von Transphorm, einem Anbieter von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern (GaN), nach eigenen Angaben zum 20. Juni 2024 abgeschlossen. Mit Abschluss der Übernahme stellt Renesas ab sofort GaN-basierte Leistungshalbleiterprodukte und entsprechende Referenzdesigns bereit, berichtet das Unternehmen. Damit soll die steigende Nachfrage nach Wide-Bandgap-Halbleiterprodukten (WBG) begegnet werden.
Sofort einsetzbare Referenzdesigns
Gleichzeitig mit dem Abschluss der Übernahme von Transphorm bringt Renesas eigenen Angaben zufolge 15 neue Winning Combinations auf den Markt. Dabei handelt es sich um sofort einsatzbereite Referenzdesigns, die die neuen GaN-Produkte mit dem Portfolio von Renesas in den Bereichen Embedded Processing, Power, Connectivity und Analog kombinieren. Hierzu sollen die Designs der Automotive-GaN-Technologie von Transphorm gehören, die in Bordbatterieladegeräten sowie 3-in-1-Antriebslösungen für Elektrofahrzeuge integriert sind.
Gesichertes Geschäftswachstum durch Leistungshalbleiter
Investitionen in den Bereich Leistungshalbleiter sind nach Angaben des Unternehmens ein wichtiger Bestandteil der Strategie von Renesas, um ein nachhaltiges, langfristiges Wachstum zu erzielen. Renesas hat nach eigener Aussage in jüngster Zeit weitere Schritte unternommen, um dieses Marktsegment zu stärken: die Eröffnung der Kofu-Fabrik, einer speziellen 300-mm-Waferfabrik für Leistungshalbleiterprodukte; die Inbetriebnahme einer neuen SiC-Produktionslinie in der Takasaki-Fabrik und der Abschluss einer Vereinbarung mit Wolfspeed, um die Lieferung von SiC-Wafern für die nächsten zehn Jahre sicherzustellen.
Wide-Bandgap-Techologie
WBG-Materialien wie GaN und Siliziumkarbid (SiC) gelten als Schlüsseltechnologien für Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen zeichnen sie sich durch eine überlegene Leistungseffizienz, höhere Schaltfrequenzen und kompakten Formfaktor aus. Die Nachfrage sowohl nach GaN- als auch SiC-basierten Produkten soll in den nächsten zehn Jahren rapide ansteigen. Ausschlaggebend soll dafür ist die Nachfrage unter anderem nach Elektrofahrzeugen, Wechselrichtern, Servern in Rechenzentren, künstlicher Intelligenz (KI), erneuerbaren Energien, industrieller Leistungsumwandlung und Endverbraucheranwendungen sein.
Einige Beispiele aus dem neuen Portfolio sind:
- Bordbatterieladegerät mit 500 W für 2-Rad-EV,
- 3-in-1-EV-Unit: Wechselrichter, integriertes Ladegerät, DC/DC-Wandler,
- AC/DC-Adapter mit 240 W und 48 V erweitertem Leistungsbereich,
- DAB-System mit bidirektionaler digitaler Leistung (3,6 kW).
Das 2007 in Goleta, Kalifornien, gegründete Unternehmen Transphorm hat seine Ursprünge an der Universität von Kalifornien in Santa Barbara und in der Wide-Bandgap-Industrie. Das Unternehmen entwickelt, fertigt und vertreibt nach eigenen Angaben hochleistungsfähige sowie hochzuverlässige GaN-Produkte für viele Anwendungen im Bereich der Hochspannungsleistungsumwandlung.
Quelle und Bild: www.renesas.com
