07 Dez Leistungs-MOSFET im kompakten Gehäuse
Der DI080N06PQ ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Diotec Semiconductor (Vertrieb: Rutronik), der über ein kompaktes 5 mm x 6 mm Power-QFN-Gehäuse verfügt. Der MOSFET soll sich laut Anbieter bei nominal 105 A und 65 V insbesondere durch seinen niedrigen Durchlasswiderstand, die schnellen Schaltzeiten und den sehr niedrigen thermischen Widerstand bei einer Sperrschichttemperatur von -55 °C bis +150 °C auszeichnen. Nach Angaben des Anbieters verfügt er über eine geringe Gate-Schwellenspannung, die eine Ansteuerung auf Logikniveau ermöglicht, und einen verbesserten Gesamtwirkungsgrad, indem aufgrund sehr geringer Gate- und Ausgangsladung Leistungsverluste verringert wurden. Der N-Kanal-Leistung-MOSFET wiegen etwa 0,1 g. Er ist laut Anbieter sehr robust, RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Anwendungen liegen beispielsweise bei der Stromversorgung, synchrone Gleichrichter, Batterieladegeräte und DC-DC-Wandler. Der MOSFET ist in Tape-&-Reel-Verpackungen beim Anbieter erhältlich.
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Quelle und Bild: www.rutronik24.de
